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onsemi NDS356AP
| Artikelnummer: | NDS356AP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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onsemi NDS356AP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NDS356AP.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SOT-23-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 10V Verlustleistung (max) 500mW (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.4 nC @ 5 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.1A (Ta) Grundproduktnummer NDS356 NDS356AP Einzelheiten PDF [English] NDS356AP PDF - EN.pdf -
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